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Si7148DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
25 °C, unless otherwise noted
0.05
I D = 15 A
10
T J = 150 °C
0.04
0.03
1
0.02
T J = 125 °C
0.1
0.01
T J = 25 °C
0.01
0.00
T J = 25 °C
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
200
160
120
80
40
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by
R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73314
S09-0273-Rev. B, 16-Feb-09
www.vishay.com
5
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